希科半導體科技（蘇州）有限公司專注于第三代半導體核心關鍵材料—碳化硅外延晶片（SiC Epitaxy Wafer）的研發與產業化。產品主要用于制造SiC SBD、SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT等碳化硅電力電子器件。

      公司位于蘇州納米城三區第三代半導體產業園，占地面積五千平米。創始團隊擁有15年以上的碳化硅外延片量產經驗，憑借業內先進的外延工藝技術和先進的生產測試設備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸/8英寸導電型碳化硅外延晶片。公司成立以來，先后實現了多項外延工藝創新和核心裝備的國產化替代，榮獲江蘇省雙創人才、姑蘇創新創業領軍人才、蘇州市獨角獸培育企業、蘇州工業園區領軍人才等重大獎項，未來將不斷提高研發水平，全力擴大市場份額，快速成長為一家具有持續研發創新能力、技術領先并推動整個產業技術進步的標桿企業。